Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e controle de motor.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP25R12KT3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A tensão de gate-emissor (Vge) é de ±20 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP25R12KT3?
O FP25R12KT3 é projetado para aplicações em inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.
Quais as características térmicas e de encapsulamento do FP25R12KT3?
A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.65 K/W. O componente é encapsulado em um package EconoDUAL™ 3 e opera em temperaturas entre -40°C a +125°C.