Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 600 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 20 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 80 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic_leak) | 1 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate | emissor (Ig): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de freio integrado | Sim |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no Infineon FP20R06W1E3_B11?
O módulo de potência FP20R06W1E3_B11 utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP20R06W1E3_B11?
A faixa de temperatura de operação do FP20R06W1E3_B11 é de -40 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do FP20R06W1E3_B11?
O Infineon FP20R06W1E3_B11 é projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.