Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-IGBT com diodo de roda livre |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP200R12N3T7?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de potência?
O FP200R12N3T7 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais são algumas das características do FP200R12N3T7?
O FP200R12N3T7 utiliza a tecnologia IGBT 7, possui baixas perdas de condução e comutação, e oferece alta densidade de potência. Possui configuração de 6-IGBTs com diodos de roda livre e está encapsulado em um package EconoDUAL™ 3.