Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 15 A |
| Corrente nominal do coletor pulsada (Icm) | 30 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterrupta (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (TRENCHSTOP™ IGBT4)
- Diodo de freio rápido integrado (Emitter Controlled Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FP15R12W1T7P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP15R12W1T7P?
O módulo FP15R12W1T7P é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterrupta (UPS) e acionamentos de motor.
Quais são as principais características do diodo de freio integrado?
O módulo possui um diodo de freio rápido integrado (Emitter Controlled Diode), que trabalha em conjunto com a tecnologia IGBT de alta eficiência (TRENCHSTOP™ IGBT4), resultando em baixas perdas de condução e comutação.