Infineon FP15R12W1T7_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 15 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de fuga reversa (Ir) 15 A
Tensão de isolamento 2500 Vrms
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.65 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Número de pinos 7
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação ininterrupta (UPS), acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (TRENCHSTOP™ IGBT4)
  • Diodo de freio rápido integrado (Emitter Controlled Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal e corrente nominal do Infineon FP15R12W1T7_B11?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 15 A.

Quais as temperaturas de operação e o tipo de encapsulamento do módulo?

O módulo Infineon FP15R12W1T7_B11 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C. O encapsulamento é do tipo EconoDUAL™ 3.

Quais são as aplicações típicas e qual a tensão de isolamento do módulo?

As aplicações típicas do módulo incluem inversores solares, fontes de alimentação ininterrupta (UPS) e acionamentos de motor. A tensão de isolamento é de 2500 Vrms.

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