Infineon FP15R12W1T4_B3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.

Especificações

Tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4
Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 15 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 45 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de fuga do coletor (Ices) 1 mA
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 200 nA
Diodo de freio integrado Sim
Tipo de encapsulamento EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40 °C a 150 °C

FAQ

Qual o tipo de encapsulamento do FP15R12W1T4_B3?

O FP15R12W1T4_B3 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

A faixa de temperatura de operação do FP15R12W1T4_B3 é de -40 °C a 150 °C.

Qual a tensão do coletor-emissor e a corrente contínua do coletor?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP15R12W1T4_B3 é de 1200 V, e a corrente contínua do coletor (Ic) é de 15 A.

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