Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 15 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 60 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 0.2 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo FP15R12KE3G?
A tensão de coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo de potência FP15R12KE3G é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP15R12KE3G?
O FP15R12KE3G pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Em quais aplicações o FP15R12KE3G é tipicamente utilizado?
O FP15R12KE3G é projetado para aplicações como inversores solares e fontes de alimentação.