Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, 1200V, 150A, com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversores e conversores de energia.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +125°C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motores |
| Configuração | 6-pack com diodo |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™)
- Diodo de Freewheeling Integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão máxima que o módulo FP150R12N3T7P_B11 suporta?
O módulo suporta uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais tipos de aplicações o FP150R12N3T7P_B11 é comumente utilizado?
O FP150R12N3T7P_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (fontes de alimentação ininterrupta) e acionamentos de motores.
Qual a tecnologia utilizada no IGBT deste módulo?
Este módulo utiliza a tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™) e possui um Diodo de Freewheeling Integrado (Fast Diode).