Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (N3E4)
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP150R07N3E4_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 700 V.
Em quais faixas de temperatura o FP150R07N3E4_B11 pode operar?
O FP150R07N3E4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 125 °C.
Quais as aplicações típicas do FP150R07N3E4_B11?
O FP150R07N3E4_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (fontes de alimentação ininterrupta) e acionamentos de motor.