Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 10 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 20 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 1.0 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (TRENCHSTOP™)
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP10R12W1T7P_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A tensão de gate-emissor (Vge) é de ±20 V.
Em quais aplicações o FP10R12W1T7P_B11 é normalmente utilizado?
O FP10R12W1T7P_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação industriais.
Quais são as principais características de desempenho do FP10R12W1T7P_B11?
O módulo de potência FP10R12W1T7P_B11 possui corrente nominal do coletor (Ic) de 10 A, corrente de pico do coletor (Icm) de 20 A e tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.7 V (típico). Ele integra tecnologia IGBT de alta eficiência (TRENCHSTOP™) com diodo de freio rápido (Fast Diode) e opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.