Infineon FP10R12W1T7

Avaliado como 5.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

SKU: FP10R12W1T7 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT 4
Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 10 A
Corrente pulsada do coletor (Icm) 20 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V
Diodo de freio integrado Sim
Corrente do diodo de freio (If) 10 A
Tensão direta do diodo de freio (Vf) 1.5 V
Resistência térmica junção case (RthJC): 1.2 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40°C a +150°C

FAQ

Qual a tensão máxima que o IGBT FP10R12W1T7 pode suportar?

O FP10R12W1T7 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.

Em quais aplicações o FP10R12W1T7 é tipicamente utilizado?

Este módulo de potência IGBT é projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP10R12W1T7?

O FP10R12W1T7 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.

Entre em Contato

Carrinho de compras