Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 10 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação |
| Número de transistores | 6 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP10R12W1T4P_B11?
O módulo FP10R12W1T4P_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo FP10R12W1T4P_B11?
O módulo FP10R12W1T4P_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas UPS e fontes de alimentação.
Qual a tensão do coletor-emissor (Vces) e a corrente contínua do coletor (Ic) do FP10R12W1T4P_B11?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP10R12W1T4P_B11 é de 1200 V, e a corrente contínua do coletor (Ic) é de 10 A.