Infineon FP10R12W1T4BOMA1

Avaliado como 4.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

SKU: FP10R12W1T4BOMA1 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 10 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.55 V (típico)
Corrente de pulso do coletor (Icm) 40 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 0.2 A
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.65 K/W
Package EasyPIM 1B
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação

Recursos

  • Tecnologia IGBT 7
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação

FAQ

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP10R12W1T4BOMA1?

O módulo FP10R12W1T4BOMA1 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.

Quais as aplicações típicas do módulo FP10R12W1T4BOMA1?

As aplicações típicas do FP10R12W1T4BOMA1 incluem inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e fontes de alimentação.

Qual a tensão do coletor-emissor (Vces) e a corrente contínua do coletor (Ic) do FP10R12W1T4BOMA1?

A tensão do coletor-emissor (Vces) é 1200 V e a corrente contínua do coletor (Ic) é 10 A.

Entre em Contato

Carrinho de compras