Infineon FP10R12W1T4B3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 10 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) ±200 mA
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40°C a +125°C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação
Configuração 3-fase PFC + 3-fase Inverter

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freewheeling rápido
  • Baixa indutância de gate
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FP10R12W1T4B3?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP10R12W1T4B3 é de 1200 V.

Quais são as aplicações típicas do módulo de potência FP10R12W1T4B3?

O FP10R12W1T4B3 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supply) e fontes de alimentação.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP10R12W1T4B3?

O módulo de potência FP10R12W1T4B3 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.

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