Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tecnologia | TrenchIGBT 4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 10 A a 100°C |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 30 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V a 10 A, 25°C |
| Tensão de isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 1.2 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Configuração | 6 Pacotes IGBT com 1 Diodo |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no IGBT do módulo FP10R12W1T4_B3?
O módulo FP10R12W1T4_B3 utiliza a tecnologia TrenchIGBT 4.
Quais as temperaturas de operação do módulo FP10R12W1T4_B3?
O módulo FP10R12W1T4_B3 pode operar em temperaturas de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do módulo FP10R12W1T4_B3?
O módulo FP10R12W1T4_B3 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supply) e fontes de alimentação industriais.