Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 10 A (a 100°C) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 20 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico a 10 A) |
| Tensão reversa do diodo (Vr) | 1200 V |
| Corrente contínua do diodo (If) | 10 A |
| Corrente de pico do diodo (Ifm) | 20 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 1.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do FP10R12W1T4?
A faixa de temperatura de operação do módulo FP10R12W1T4 é de -40°C a +150°C.
Qual a tensão do coletor-emissor (Vces) e corrente contínua do coletor (Ic) do FP10R12W1T4?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é 1200 V e a corrente contínua do coletor (Ic) é 10 A (a 100°C).
Quais as características do diodo de freio integrado ao FP10R12W1T4?
O FP10R12W1T4 possui um diodo de freio integrado com tensão reversa (Vr) de 1200 V e corrente contínua (If) de 10 A.