Módulo IGBT Infineon FP10R12W1T4 – 1200V 10A
O FP10R12W1T4 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de 1200V e 10A fabricado pela Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta potência que exigem desempenho e confiabilidade superiores. Este módulo é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo inversores, conversores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e controles de motor.
Características Principais do FP10R12W1T4:
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor contínua (IC): 10A
- Baixas perdas de comutação
- VCEsat com coeficiente de temperatura positivo
- Baixo VCEsat
- Substrato Al2O3 com baixa resistência térmica
- Design compacto
- Tecnologia de contato de solda
- Montagem robusta devido a grampos de montagem integrados
Aplicações do Módulo IGBT Infineon:
O FP10R12W1T4 é uma escolha versátil para diversas aplicações de eletrônica de potência, tais como:
- Inversores solares
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Controles de motor industriais
- Sistemas de aquecimento por indução
- Soldagem
- Conversores de frequência
Benefícios do FP10R12W1T4:
Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens que o tornam uma solução eficiente e confiável para suas necessidades de energia:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas de energia
- Excelente desempenho térmico, garantindo operação confiável em altas temperaturas
- Robustez e durabilidade, suportando condições de operação exigentes
- Design compacto, facilitando a integração em seus projetos
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