Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 600 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 10 A a 100°C |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 1.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 (2x SEMiX 3) |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de comutação e condução
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP10R06W1E3B11?
O módulo FP10R06W1E3B11 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Qual a tensão do coletor-emissor (Vces) suportada pelo FP10R06W1E3B11?
O módulo FP10R06W1E3B11 suporta uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 600 V.
Quais as aplicações típicas do módulo FP10R06W1E3B11?
O FP10R06W1E3B11 é projetado para aplicações de inversor solar e UPS, aproveitando sua tecnologia IGBT de alta eficiência e diodo de freio rápido integrado.