Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 600 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 10 A a 100°C |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 0.2 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 1.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 (2x SEMiX 3) |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de roda livre rápido integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico integrado
- Baixas perdas de comutação e condução
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor máxima suportada pelo módulo FP10R06W1E3_B11?
O módulo suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FP10R06W1E3_B11?
O módulo FP10R06W1E3_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do módulo FP10R06W1E3_B11?
O módulo FP10R06W1E3_B11 é projetado para aplicações de inversor solar e UPS (Uninterruptible Power Supply).