Infineon FP100R12N3T7_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

SKU: FP100R12N3T7_B11 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão nominal 1200 V
Corrente nominal 100 A
Configuração 1 ponte completa (Full Bridge)
Package EconoDUAL™ 3
Tensão de saturação Vce(sat) 1.7 V (típico)
Temperatura de operação -40 °C a 150 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais

Recursos

  • Tecnologia IGBT3
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Isolamento galvânico

FAQ

Qual a tensão nominal e a corrente nominal do FP100R12N3T7_B11?

O módulo FP100R12N3T7_B11 possui tensão nominal de 1200 V e corrente nominal de 100 A.

Quais as aplicações típicas do FP100R12N3T7_B11?

Este módulo é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supply) e fontes de alimentação industriais.

Qual a faixa de temperatura de operação do FP100R12N3T7_B11?

O FP100R12N3T7_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.

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