Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Corrente nominal contínua (Ic) | 100 A |
|---|---|
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de pico (Icm) | 200 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Configuração | 6-pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT NPT de 7ª geração
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a corrente nominal e tensão suportada pelo FP100R12N2T7?
O módulo FP100R12N2T7 possui corrente nominal contínua (Ic) de 100 A e suporta tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as características térmicas e a faixa de temperatura de operação do FP100R12N2T7?
A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.25 K/W. Sua faixa de temperatura de operação está entre -40 °C e +125 °C.
Em que tipo de aplicações e com qual tecnologia o FP100R12N2T7 é utilizado?
Este módulo é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia. Ele utiliza a tecnologia IGBT NPT de 7ª geração, com diodo de freio integrado (Fast Diode), o que resulta em baixas perdas de condução e comutação.