Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | TrenchIGBT 4 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Configuração | 3-fase ponte completa |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no módulo FP100R12KT4_B11?
O módulo FP100R12KT4_B11 utiliza a tecnologia TrenchIGBT 4.
Quais as características de tensão e corrente do módulo?
O módulo possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V, corrente nominal contínua do coletor (Ic) de 100 A, e corrente nominal pulsada do coletor (Icm) de 400 A. A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.8 V (típico).
Quais as principais aplicações e características de temperatura do FP100R12KT4_B11?
O FP100R12KT4_B11 é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia. Sua faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.