Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT de alta eficiência, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ 5 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 700 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento e configuração do FP100R07N3E4?
O FP100R07N3E4 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3 e possui configuração 6-pack.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FP100R07N3E4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Qual a tensão nominal e a tecnologia IGBT utilizada no FP100R07N3E4?
O FP100R07N3E4 utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5 e possui uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 700 V.