Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT7 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 900 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 3 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente máxima do gate | emissor (Ige): ±300 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Ponte completa |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
| B11 | Indica uma versão específica do módulo com características de montagem e conexão |
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal do FF900R17ME7W_B11?
O módulo IGBT FF900R17ME7W_B11 possui tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1700 V e corrente nominal do coletor (Ic) de 900 A.
Quais as características térmicas e de operação do FF900R17ME7W_B11?
A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.02 K/W e a faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Em quais aplicações o FF900R17ME7W_B11 é tipicamente utilizado e qual o seu tipo de encapsulamento?
O FF900R17ME7W_B11 é adequado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação. Ele utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3 e sua configuração é ponte completa.