Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT7 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 900 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 4 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente máxima do gate | emissor (Ig, max): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente do coletor-emissor do FF900R17ME7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V, e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 900 A. A corrente pulsada do coletor (Ic, pulsado) é de 1200 A.
Quais as características térmicas e de temperatura de operação do módulo?
A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.02 K/W. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas e o tipo de encapsulamento do FF900R17ME7_B11?
As aplicações típicas incluem inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação. O módulo é encapsulado em EconoDUAL™ 3.