Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 e Emitter Controlled 7Diode. Projetado para aplicações de inversores e conversores de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 900 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 1800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT7 |
| Tecnologia do diodo | Emitter Controlled 7Diode |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, R) | 4 mA |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | Module |
| Número de chaves | 6 |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT FF900R12ME7W pode suportar?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V, conforme especificado nos fatos.
Quais as temperaturas de operação do módulo FF900R12ME7W?
O módulo FF900R12ME7W pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a +150 °C.
Quais as características da tecnologia IGBT e diodo utilizados no FF900R12ME7W?
O módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7 para o IGBT e Emitter Controlled 7Diode para o diodo.