Infineon FF900R12ME7P_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ 7 e tecnologia NTC integrada. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

SKU: FF900R12ME7P_B11 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ 7 e tecnologia NTC integrada. Projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 900 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 7
Tipo de diodo Emitter Controlled 7
Package EconoDUAL™ 3
Número de semicondutores 6
Resistência térmica junção a-caixa (RthJC): 0.03 K/W
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Temperatura de operação máxima da junção (Tj) 150 °C

Recursos

  • Com diodo de roda livre integrado
  • Com sensor de temperatura NTC integrado

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo módulo FF900R12ME7P_B11?

A tensão do coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo é de 1200 V.

Qual a temperatura máxima de operação da junção e qual tecnologia IGBT o módulo utiliza?

A temperatura máxima de operação da junção (Tj) é de 150 °C e o módulo utiliza a tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 7.

Quais recursos estão integrados ao módulo FF900R12ME7P_B11?

O módulo possui diodo de roda livre integrado e sensor de temperatura NTC integrado.

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