Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 900 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 1800 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | Press-Pack Smart |
| Configuração | 1-half-bridge |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7 da Infineon
- Perdas de condução e comutação otimizadas
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FF900R12ME7_B11?
A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF900R12ME7_B11?
A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do FF900R12ME7_B11?
O FF900R12ME7_B11 utiliza a tecnologia IGBT 7 da Infineon, possui isolamento galvânico e apresenta perdas de condução e comutação otimizadas. Ele é configurado como 1-half-bridge e possui um package Press-Pack Smart.