Infineon FF800R12KE7_E

Avaliado como 4.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de energia industrial.

SKU: FF800R12KE7_E Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de energia industrial.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 800 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT7
Diodo de freewheeling Emitter Controlled 7
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Corrente de pulso do coletor (Icm) 1600 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 100 nA
Temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Package EconoDUAL™ 3
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.02 K/W
Isolamento 4000 Vrms

FAQ

Qual a tensão de isolamento do módulo FF800R12KE7_E?

O módulo FF800R12KE7_E possui isolamento de 4000 Vrms.

Quais são os limites de temperatura de operação do FF800R12KE7_E?

A temperatura de operação do FF800R12KE7_E varia de -40 °C a +150 °C.

Qual a tensão de saturação típica e a corrente contínua do coletor do FF800R12KE7_E?

A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.75 V (típico), e a corrente contínua do coletor (Ic) é de 800 A.

Entre em Contato

Carrinho de compras