Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 75 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 0.2 A |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT3
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF75R12YT3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A tensão de gate-emissor (Vge) é de ±20 V.
Quais são as principais características de desempenho do FF75R12YT3?
O FF75R12YT3 possui corrente nominal do coletor (Ic) de 75 A e tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.8 V (típico). A corrente de fuga reversa (Ir) é de 75 A. Ele utiliza a tecnologia IGBT3 e possui diodo de roda livre integrado, com baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência.
Em qual faixa de temperatura o FF75R12YT3 pode operar?
O FF75R12YT3 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.