Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | IGBT4 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente de pulso do coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
Recursos
- Isolamento galvânico integrado
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do módulo FF75R12RT4?
O módulo FF75R12RT4 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF75R12RT4?
O módulo FF75R12RT4 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Quais as principais características do FF75R12RT4 relacionadas à corrente?
O FF75R12RT4 possui uma corrente nominal contínua do coletor (Ic) de 75 A e uma corrente de pulso do coletor (Icm) de 150 A.