Infineon FF750R17ME7DP_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

Especificações

Corrente nominal contínua (Ic) 750 A
Tensão coletor emissor (Vces): 1700 V
Package EconoDUAL™ 3
Configuração 2-IGBTs com diodo
Tensão de isolamento 4000 Vrms
Faixa de temperatura de operação -40°C a +125°C
Aplicações Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores
Montagem Parafusada

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
  • Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
  • Baixa saturação de tensão (Vce(sat))
  • Baixa perda de comutação

FAQ

Qual a corrente nominal e a tensão coletor-emissor do módulo FF750R17ME7DP_B11?

A corrente nominal contínua (Ic) é de 750 A, e a tensão coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.

Qual a faixa de temperatura de operação e as aplicações típicas do FF750R17ME7DP_B11?

A faixa de temperatura de operação é de -40°C a +125°C. As aplicações típicas incluem inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores.

Quais as principais características do FF750R17ME7DP_B11?

O FF750R17ME7DP_B11 possui tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop), diodo de freewheeling integrado (Fast Diode), baixa saturação de tensão (Vce(sat)) e baixa perda de comutação. O pacote é EconoDUAL™ 3, com configuração de 2-IGBTs com diodo e tensão de isolamento de 4000 Vrms. A montagem é parafusada.

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