Módulo IGBT Infineon FF750R12ME7_B11 – Alta Potência e Eficiência para suas Aplicações
Procurando um módulo IGBT de alta potência e confiabilidade para seus projetos? Apresentamos o Infineon FF750R12ME7_B11, um componente de última geração que oferece desempenho excepcional e eficiência energética para uma variedade de aplicações.
Especificações Técnicas do Infineon FF750R12ME7_B11:
- Tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT7
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200 V
- Corrente de coletor nominal (IC nom): 750 A
- Corrente de coletor de pico repetitivo (ICRM): 1500 A
- Temperatura de junção operacional (Tvj op): -40°C a +175°C
- Sensor de temperatura NTC integrado
- Tecnologia de contato PressFIT
- Isolamento galvânico
Aplicações do Módulo IGBT FF750R12ME7_B11:
O módulo FF750R12ME7_B11 é ideal para uma ampla gama de aplicações de alta potência, incluindo:
- Conversores de energia
- Inversores
- Acionamentos de motor
- Servos drives
- Sistemas de energia ininterrupta (UPS)
- Veículos agrícolas comerciais
Benefícios do Infineon FF750R12ME7_B11:
Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens que o tornam a escolha ideal para suas necessidades:
- Alta densidade de potência
- Excelente desempenho térmico
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta confiabilidade e robustez
- Facilidade de montagem e integração
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