Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 600 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Ponte completa |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do FF600R17ME4P_B11?
A faixa de temperatura de operação do FF600R17ME4P_B11 é de -40 °C a +125 °C.
Qual a tensão nominal do coletor-emissor (Vces) deste módulo IGBT?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FF600R17ME4P_B11 é 1700 V.
Qual o tipo de encapsulamento e configuração do FF600R17ME4P_B11?
O FF600R17ME4P_B11 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3 e possui configuração de ponte completa.