Infineon FF600R17ME4P

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 600 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5
Diodo de roda livre Emitter Controlled 5
Tensão de saturação do coletor emissor (Vcesat): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 1200 A
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.02 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 2
Isolamento Sim
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

FAQ

Qual a tensão máxima suportada pelo IGBT FF600R17ME4P?

A tensão coletor-emissor (Vces) do FF600R17ME4P é de 1700 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

O módulo FF600R17ME4P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.

Quais as principais características do diodo de roda livre integrado ao módulo?

O módulo FF600R17ME4P integra um diodo de roda livre Emitter Controlled 5.

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