Infineon FF600R12ME4P_B72

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de energia industrial.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de energia industrial.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 600 A
Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Diodo de freewheeling Emitter Controlled Diode
Package Press-Pack
Tensão de isolamento 4000 Vrms
Temperatura de operação -40°C a +125°C
Aplicações Inversores solares, sistemas de acionamento de motores, fontes de alimentação
Configuração Ponte trifásica

Recursos

  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FF600R12ME4P_B72?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FF600R12ME4P_B72 é de 1200 V.

Em quais aplicações o FF600R12ME4P_B72 é tipicamente utilizado?

O FF600R12ME4P_B72 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de acionamento de motores e fontes de alimentação.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF600R12ME4P_B72?

O FF600R12ME4P_B72 pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.

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