Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 600 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 1200 A |
| Tensão de saturação (Vce(sat)) | 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate (Vge) | ±20 V |
| Corrente de gate (Ige) | ±300 mA |
| Resistência térmica (RthJC) | 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Diodo integrado | Sim (Fast Diode) |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do módulo FF600R12ME4P_B11?
A tensão nominal (Vces) do módulo é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF600R12ME4P_B11?
A faixa de temperatura de operação do FF600R12ME4P_B11 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do encapsulamento e número de chaves do FF600R12ME4P_B11?
O módulo FF600R12ME4P_B11 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3 e possui 2 chaves IGBT.