Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 600 A |
| Configuração | 6 pacotes IGBT com 1 diodo por braço |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.03 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack (PIM) |
| Aplicações | Inversores de energia, acionamentos de motor, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop)
- Diodo de roda livre rápido integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de comutação e condução
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal do FF600R12ME4_B72?
O módulo IGBT FF600R12ME4_B72 possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V e uma corrente nominal do coletor (Ic) de 600 A.
Quais são as aplicações típicas do FF600R12ME4_B72 e qual sua faixa de temperatura de operação?
O FF600R12ME4_B72 é projetado para aplicações como inversores de energia, acionamentos de motor e fontes de alimentação. Sua temperatura de operação da junção varia de -40 °C a +150 °C.
Quais as principais características de desempenho do FF600R12ME4_B72?
O FF600R12ME4_B72 utiliza tecnologia IGBT de alta eficiência (Trench Fieldstop), possui um diodo de roda livre rápido integrado e apresenta baixas perdas de comutação e condução.