Infineon FF600R12ME4

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 600 A
Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Diodo de roda livre Emitter Controlled
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 1200 A
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.03 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de chaves 6
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo FF600R12ME4?

O módulo IGBT FF600R12ME4 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF600R12ME4?

A faixa de temperatura de operação do FF600R12ME4 é de -40 °C a +125 °C.

Qual a tecnologia IGBT utilizada no FF600R12ME4 e qual o tipo de diodo de roda livre?

O FF600R12ME4 utiliza tecnologia IGBT Trench Fieldstop e diodos de roda livre Emitter Controlled.

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