Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua de coletor (Ic) | 600 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Isolamento galvânico
- Terminais de conexão rápida
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FF600R12KE4P?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FF600R12KE4P é de 1200 V.
Em quais aplicações o FF600R12KE4P é comumente utilizado?
O FF600R12KE4P é projetado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação.
Qual a temperatura de operação do FF600R12KE4P?
A temperatura de operação do FF600R12KE4P varia de -40 °C a +125 °C.