Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga do gate (IGES) | ±10 µA |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FF50R12RT4?
O módulo IGBT FF50R12RT4 suporta uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FF50R12RT4?
O FF50R12RT4 opera em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FF50R12RT4?
O FF50R12RT4 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação industriais.