Infineon FF50R12RT4

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Módulo IGBT Infineon FF50R12RT4

Procurando por um módulo IGBT de alta qualidade e confiabilidade para sua aplicação? Apresentamos o Infineon FF50R12RT4, um componente eletrônico de potência que combina alta performance com excelente custo-benefício. Descubra mais sobre este módulo IGBT e suas aplicações!

Especificações Técnicas do Infineon FF50R12RT4

O módulo IGBT Infineon FF50R12RT4 é um dispositivo semicondutor que integra um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) com um diodo em antiparalelo. Ele pertence à família de módulos IGBT da Infineon Technologies e se destaca por suas características elétricas e robustez. Confira as especificações:

  • Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
  • Corrente de coletor (IC): 50A
  • Frequência de chaveamento: Alta frequência
  • Temperatura de junção (Tj): -40°C a 150°C
  • Encapsulamento: Módulo
  • Configuração: Meia ponte
  • Tecnologia: Trenchstop™ 5

Aplicações do Módulo IGBT FF50R12RT4

Graças ao seu desempenho e características, o FF50R12RT4 da Infineon é ideal para uma variedade de aplicações que exigem alta potência e frequência de chaveamento. Algumas das aplicações mais comuns incluem:

  • Inversores de frequência
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Sistemas de energia solar
  • Acionamentos de motores industriais
  • Soldagem
  • Aquecimento por indução

Benefícios do Infineon FF50R12RT4

O módulo IGBT Infineon FF50R12RT4 oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha inteligente para seus projetos:

  • Alta eficiência energética, reduzindo perdas e melhorando o desempenho geral do sistema.
  • Excelente capacidade de gerenciamento térmico, garantindo operação confiável mesmo em altas temperaturas.
  • Robustez e durabilidade, suportando condições de operação exigentes.
  • Tecnologia Trenchstop™ 5, que proporciona menor resistência de condução e perdas de chaveamento reduzidas.
  • Facilidade de integração em diversos projetos.

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