Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 50 A |
| Corrente de pico (Icm) | 100 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) | 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor Vge(th): 5.5 V |
| Corrente de gate | emissor Ig: ±200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 6 |
| Aplicações | Inversores solares, drives de motor, fontes de alimentação |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF50R12KT4?
O módulo FF50R12KT4 possui uma tensão nominal (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o FF50R12KT4 é comumente utilizado?
Este módulo é projetado para aplicações como inversores solares, drives de motor e fontes de alimentação.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF50R12KT4?
A faixa de temperatura de operação do FF50R12KT4 é de -40 °C a +125 °C.