Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 450 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 900 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 3 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.04 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40 °C a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7 da Infineon
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF450R12ME7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do FF450R12ME7_B11?
As aplicações típicas incluem inversores solares, sistemas de energia eólica e fontes de alimentação industriais.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF450R12ME7_B11?
A temperatura de operação da junção varia de -40 °C a +125 °C.