Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 300 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V |
| Corrente máxima do gate | emissor (IGES): ±250 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.04 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40 a +125 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF300R17ME4P_B11?
A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 1700V. A temperatura de operação da junção varia de -40 a +125 °C.
Quais as principais características de corrente e chaveamento do FF300R17ME4P_B11?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 300A, com corrente de pulso de 600A. A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 2.0V (típico). Possui diodo de freio integrado (Fast Diode) e utiliza tecnologia IGBT 4.
Qual o tipo de encapsulamento e as propriedades térmicas do FF300R17ME4P_B11?
O FF300R17ME4P_B11 é encapsulado em EconoDUAL™ 3. A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.04 K/W. Apresenta isolamento galvânico.