Infineon FF300R17ME3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 300 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 600 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de fuga do gate (IGES) ±10 µA
Capacitância de entrada (Cies) 10.5 nF (típico)
Capacitância de saída (Coes) 1.1 nF (típico)
Capacitância de transição (Cres) 0.2 nF (típico)
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.06 K/W
Package Press-Pack
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 7
  • Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão nominal do Infineon FF300R17ME3?

A tensão nominal coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF300R17ME3?

A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.

Quais as principais características do diodo integrado do FF300R17ME3?

O FF300R17ME3 possui um diodo de freewheeling integrado, também conhecido como Fast Diode.

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