Infineon FF300R12ME4

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 300 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de gate (Igc) 100 nA
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.04 K/W
Tensão de isolamento (Viso) 2500 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Número de chaves 6

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio rápido (Trench Fieldstop)

FAQ

Qual a tensão máxima de operação do IGBT FF300R12ME4?

A tensão coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A tensão de isolamento (Viso) é de 2500 Vrms.

Quais as características térmicas do módulo FF300R12ME4?

A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.04 K/W. A faixa de temperatura de operação é de -40 °C a +125 °C.

Quais as principais características de desempenho do FF300R12ME4?

O módulo possui corrente contínua do coletor (Ic) de 300 A. A tecnologia utilizada é IGBT 4 com um diodo de freio rápido (Trench Fieldstop). A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.8 V (típico), a tensão de limiar gate-emissor (VGE(th)) é 5.5 V (típico), e a corrente de gate (Igc) é de 100 nA. O pacote é EconoDUAL™ 3 e possui 6 chaves.

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