Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio rápido, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de comutação
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada por este módulo IGBT?
O módulo Infineon FF300R12KE4_B2 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF300R12KE4_B2?
A temperatura de operação (Tj) do módulo FF300R12KE4_B2 varia de -40°C a +150°C.
Quais são algumas das características chave do FF300R12KE4_B2?
O FF300R12KE4_B2 possui tecnologia IGBT 4, diodo de freio rápido, isolamento galvânico e baixas perdas de comutação.