Infineon FF2400RB12IP7

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Módulo de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 2400 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 4800 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico)
Resistência térmica junção a-caixa (RthJC): 0.03 K/W
Package Press-Pack
Interface de gate Gate-Emissor
Temperatura de operação -40°C a +125°C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 7
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Alta densidade de potência

FAQ

Qual a tensão nominal de operação do Infineon FF2400RB12IP7?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.

Quais as características de corrente do FF2400RB12IP7?

O módulo suporta uma corrente nominal contínua do coletor (Ic) de 2400 A e uma corrente nominal pulsada do coletor (Icm) de 4800 A.

Qual a tecnologia e principais benefícios do FF2400RB12IP7?

O FF2400RB12IP7 utiliza tecnologia IGBT 7, que proporciona baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência.

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