Infineon FF225R17ME4_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal contínua do coletor (Ic) 225 A
Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) 450 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Resistência térmica junção a-carcaça (RthJC): 0.25 K/W
Tensão de isolamento (Viso) 3000 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de roda livre rápido integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de comutação e condução

FAQ

Qual a tensão nominal do IGBT FF225R17ME4_B11?

A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do IGBT FF225R17ME4_B11 é de 1700 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FF225R17ME4_B11?

O módulo de potência FF225R17ME4_B11 é projetado para aplicações em inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do FF225R17ME4_B11?

A faixa de temperatura de operação do FF225R17ME4_B11 varia de -40 °C a +125 °C.

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