Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 225 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de porta | emissor (Iges): 250 µA |
| Tensão de porta | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF225R12MS4?
O módulo de potência FF225R12MS4 opera com uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V e uma tensão de porta-emissor (Vge) de ±20 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF225R12MS4?
A faixa de temperatura de operação do FF225R12MS4 é de -40 °C a +125 °C.
Em qual tipo de encapsulamento o FF225R12MS4 é disponibilizado?
O FF225R12MS4 é fornecido no encapsulamento EconoDUAL™ 3 e possui 6 semicondutores. Ele utiliza a tecnologia IGBT 4 e possui um diodo de roda livre integrado.