Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 225 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 225 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal do Infineon FF225R12ME4P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo pode operar em temperaturas que variam de -40°C a 150°C.
Quais as características do diodo de roda livre integrado?
O Infineon FF225R12ME4P possui um diodo de roda livre integrado (Fast Diode) com corrente de fuga reversa (Ir) de 225 A.